科学家设计出利用石墨烯和硒化钨层自旋电子学特性的开创性材料
研究人员通过扭曲石墨烯层和硒化钨层，设计出一种利用独特自旋相关特性的开创性材料。这项自旋电子学领域的创新技术可以彻底改变先进电子设备的发展，提高处理器中磁性存储器的集成度，并克服目前在处理自旋电流方面的局限性。一种新材料利用扭曲的石墨烯和硒化钨层释放出新颖的自旋电子学特性。这一突破为制造功能更强的精密电子器件铺平了道路。资料来源：杨浩哲，CIC nanoGUNE与布拉格查尔斯大学（Charles
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