台积电

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片

在 HBM4 内存带来的几大变化中,最直接的变化之一就是内存接口的宽度。随着第四代内存标准从已经很宽的 1024 位接口升级到超宽的 2048 位接口,HBM4 内存堆栈将不会像以前一样正常工作;芯片制造商需要采用比现在更先进的封装方法,以适应更宽的内存。作为 2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分,台积电提供了一些有关其将为 HBM4 制造的基础模具的新细节,这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积